Electrónica

Electrónica

Semiconductores
Conductividad de una muestra semiconductora	s = n m_n q + p m_p q
	q = carga del electrón n, p = densidad de electrones y de huecos m_n , m_p = movilidades de electrones y huecos
Semiconductor intrínseco	n = p = n_i densidad de electrones = densidad de huecos
resistividad	r = 1 / s
Semiconductor con impurezas aceptadoras y donadoras	Neutralidad eléctrica: n + N_A^- = p + N_D⁺ N_A (número de impurezas aceptadoras) N_D (número de impurezas donadoras)
Ley de acción de masas	n p = n_i²
Nivel de dopado alto	N_D- N_A>> n_i
Semiconductor tipo n	s @ q n m_n N_D@ n p = n_i² / N_D
Semiconductor tipo p	s @ q p m_p N_A@ p n = n_i² / N_A

Diodo de unión p - n
Corriente inversa de saturación (depende de las características del diodo)	I_o = A q [ D_n n_po / L_n + D_p p_no / L_p] donde A es la sección de la unión, q la carga del electrón. D_n y D_p son las constantes de difusión para electrones y huecos L_n = [D_n t_n]^1/2
Corriente total del diodo	I = I_o [exp (V / V_T) - 1]
	L_p es la distancia dentro del semiconductor a la que la concentración inyectable disminuye a 1/e de su valor máximo.
	t_p y t_n es la vida media de los portadores
Potencial de contacto	V_o = [K T / q] ln [ N_A N_D / n_i²]
Anchura de la zona de transición	l = [ (2 e / q) V_o ( 1 / N_A + 1 / N_D)]^1/2 l = x_n + x_p
anchura de la zona tipo p de la región de transición	x_p = l N_D / ( N_A+ N_D)
	x_n = l N_A / ( N_A+ N_D)
Campo eléctrico máximo	E (0) = - [ (2 q / e) V_o (N_A N_D) / (N_A + N_D)]^1/2
	V_o = V (x_n) - V (-x_p)